RU6H7R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6H7R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU6H7R MOSFET
RU6H7R Datasheet (PDF)
ru6h7r.pdf

RU6H7RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/7A,RDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 16pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum Rati
Otros transistores... RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , K3569 , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R , RU70200R , RU7080L .
History: CEF10N65 | 2SJ389L | UT3N10L-TN3-R | UT2316G-AE3-R | CEB12N65 | MS65R170B | AP9466GJ
History: CEF10N65 | 2SJ389L | UT3N10L-TN3-R | UT2316G-AE3-R | CEB12N65 | MS65R170B | AP9466GJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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