RU6H7R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU6H7R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6H7R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H7R даташит

 ..1. Size:295K  ruichips
 ru6h7r.pdf pdf_icon

RU6H7R

RU6H7R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 600V/7A, RDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 16pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum Rati

Другие IGBT... RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R, RU6H4R, RU6H5L, IRF9540, RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, RU6Z8R, RU70100R, RU70190R, RU70200R, RU7080L