RU6H7R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU6H7R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU6H7R
RU6H7R Datasheet (PDF)
ru6h7r.pdf

RU6H7RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/7A,RDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 16pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum Rati
Другие MOSFET... RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , AO3400 , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R , RU70200R , RU7080L .
History: 2SK3507 | MDIS4N65BTH | DMTH4005SCT | BSZ100N03MSG | STL60N3LLH5 | WMK037N10HGS | WMPN40N50D1
History: 2SK3507 | MDIS4N65BTH | DMTH4005SCT | BSZ100N03MSG | STL60N3LLH5 | WMK037N10HGS | WMPN40N50D1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet