RU6H7R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU6H7R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU6H7R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU6H7R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H7R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  ruichips
ru6h7r.pdfpdf_icon

RU6H7R

RU6H7RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/7A,RDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 16pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum Rati

Другие MOSFET... RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , K3569 , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R , RU70200R , RU7080L .

History: HQB7N65C | STD5N20T4 | STD6N10-1 | AP9997GH-HF | IRFU120NPBF | STD8N10-1 | STD12L01

 

 
Back to Top

 


 
.