RU6H9R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6H9R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU6H9R
RU6H9R Datasheet (PDF)
ru6h9r.pdf
RU6H9RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru6h9p.pdf
RU6H9PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum
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History: NCE60NF110
