RU6H9R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU6H9R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6H9R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H9R даташит

 ..1. Size:283K  ruichips
 ru6h9r.pdf pdf_icon

RU6H9R

RU6H9R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 600V/9.5A, RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting N-Channel MOSFET Absolute Maximum

 9.1. Size:299K  ruichips
 ru6h9p.pdf pdf_icon

RU6H9R

RU6H9P N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 600V/9.5A, RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-220F Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum

Другие IGBT... RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R, RU6H4R, RU6H5L, RU6H7R, RU6H9P, 2SK3878, RU6Z5R, RU6Z8R, RU70100R, RU70190R, RU70200R, RU7080L, RU7085R, RU7088A