Справочник MOSFET. RU6H9R

 

RU6H9R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6H9R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H9R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  ruichips
ru6h9r.pdfpdf_icon

RU6H9R

RU6H9RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.1. Size:299K  ruichips
ru6h9p.pdfpdf_icon

RU6H9R

RU6H9PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SMC8205AW | NTHL190N65S3HF | IXFN100N25 | RQ3E080BN | KF16N25F | WFF740 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.