RU6H9R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU6H9R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU6H9R
RU6H9R Datasheet (PDF)
ru6h9r.pdf

RU6H9RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru6h9p.pdf

RU6H9PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/9.5A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 20pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum
Другие MOSFET... RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , RU6H7R , RU6H9P , 8205A , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R , RU70200R , RU7080L , RU7085R , RU7088A .
History: FDMS3672 | 2SJ132 | 2SK400 | AON6220 | WSK180N04 | IRFN130 | AO4472
History: FDMS3672 | 2SJ132 | 2SK400 | AON6220 | WSK180N04 | IRFN130 | AO4472



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198