RU70190R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU70190R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 145 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU70190R

RU70190R Datasheet (PDF)

..1. Size:303K ruichips
ru70190r.pdf

RU70190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/190A,RDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Battery Inverter/UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating

9.1. Size:335K ruichips
ru70100r.pdf

RU70100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/100A, RDS (ON) =4.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

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Liste

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