RU70190R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU70190R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 145 nC
Tiempo de subida (tr): 96 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 700 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU70190R
RU70190R Datasheet (PDF)
ru70190r.pdf
RU70190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/190A,RDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Battery Inverter/UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating
ru70100r.pdf
RU70100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/100A, RDS (ON) =4.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems
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