RU70190R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU70190R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU70190R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU70190R даташит

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru70190r.pdf pdf_icon

RU70190R

RU70190R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 70V/190A, RDS (ON) =4.2m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Battery Inverter/UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating

 9.1. Size:335K  ruichips
 ru70100r.pdf pdf_icon

RU70190R

RU70100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/100A, RDS (ON) =4.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

Другие IGBT... RU6H4R, RU6H5L, RU6H7R, RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, RU6Z8R, RU70100R, IRF4905, RU70200R, RU7080L, RU7085R, RU7088A, RU70E15L, RU70E4D, RU70E4H, RU75110R