RU75400Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU75400Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de RU75400Q MOSFET
RU75400Q Datasheet (PDF)
ru75400q.pdf

RU75400QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 75V/400A, RDS (ON) =1.5m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G D S TO247DApplications High Effic
Otros transistores... RU70E4H , RU75110R , RU75110S , RU75150R , RU75170S , RU75210R , RU75230S , RU75260Q , AON7506 , RU7550R , RU7550S , RU7570L , RU7580R , RU7582S , RU7590R , RU7H2K , RU80100R .
History: WMK12N65D1B | WNMD2167 | AS2318 | BSN20 | RU6H7R | WMK110N20HG2 | SE10015
History: WMK12N65D1B | WNMD2167 | AS2318 | BSN20 | RU6H7R | WMK110N20HG2 | SE10015



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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