RU75400Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU75400Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 600 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 400 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 410 nC
Tiempo de subida (tr): 210 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1440 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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RU75400Q Datasheet (PDF)
..1. Size:268K ruichips
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RU75400QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 75V/400A, RDS (ON) =1.5m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G D S TO247DApplications High Effic
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