RU75400Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU75400Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 400 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для RU75400Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU75400Q даташит

 ..1. Size:268K  ruichips
 ru75400q.pdf pdf_icon

RU75400Q

RU75400Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 75V/400A, RDS (ON) =1.5m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO247 D Applications High Effic

Другие IGBT... RU70E4H, RU75110R, RU75110S, RU75150R, RU75170S, RU75210R, RU75230S, RU75260Q, AON6380, RU7550R, RU7550S, RU7570L, RU7580R, RU7582S, RU7590R, RU7H2K, RU80100R