RU7570L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7570L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de RU7570L MOSFET
RU7570L Datasheet (PDF)
ru7570l.pdf

RU7570LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/70A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maxi
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History: FDA18N50 | SSF4N80AS | SSF25N40A | RU7550S
History: FDA18N50 | SSF4N80AS | SSF25N40A | RU7550S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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