RU7570L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU7570L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU7570L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7570L даташит

 ..1. Size:290K  ruichips
 ru7570l.pdf pdf_icon

RU7570L

RU7570L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 75V/70A, RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maxi

Другие IGBT... RU75150R, RU75170S, RU75210R, RU75230S, RU75260Q, RU75400Q, RU7550R, RU7550S, NCEP15T14, RU7580R, RU7582S, RU7590R, RU7H2K, RU80100R, RU80100S, RU80190R, RU8080R