RU7590R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7590R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU7590R MOSFET
RU7590R Datasheet (PDF)
ru7590r.pdf

RU7590RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/90A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications The device is suitable for use inPWM ,load switching and generalpurpose applications.N-Channe
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History: SI2316DS | WMM10N70EM | WSF50N10 | SI3424BDV | SVT035R5NT | BSC520N15NS3G | STD3LN62K3
History: SI2316DS | WMM10N70EM | WSF50N10 | SI3424BDV | SVT035R5NT | BSC520N15NS3G | STD3LN62K3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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