RU7590R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU7590R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU7590R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7590R даташит

 ..1. Size:305K  ruichips
 ru7590r.pdf pdf_icon

RU7590R

RU7590R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 75V/90A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications The device is suitable for use in PWM ,load switching and general purpose applications. N-Channe

Другие IGBT... RU75230S, RU75260Q, RU75400Q, RU7550R, RU7550S, RU7570L, RU7580R, RU7582S, IRFP450, RU7H2K, RU80100R, RU80100S, RU80190R, RU8080R, RU8080S, RU8099R, RU80N15Q