RU7H2K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7H2K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 56 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU7H2K
RU7H2K Datasheet (PDF)
ru7h2k.pdf
RU7H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO251Applications High efficiency switch mode power suppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
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