RU7H2K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7H2K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de RU7H2K MOSFET
RU7H2K Datasheet (PDF)
ru7h2k.pdf

RU7H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO251Applications High efficiency switch mode power suppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
Otros transistores... RU75260Q , RU75400Q , RU7550R , RU7550S , RU7570L , RU7580R , RU7582S , RU7590R , 13N50 , RU80100R , RU80100S , RU80190R , RU8080R , RU8080S , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R .
History: SM4050PSK | IRFBA1405PPBF | WMK110N20HG2 | BSN20 | AS2318 | RU6H7R | BSP316P
History: SM4050PSK | IRFBA1405PPBF | WMK110N20HG2 | BSN20 | AS2318 | RU6H7R | BSP316P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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