RU7H2K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7H2K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de RU7H2K MOSFET
RU7H2K Datasheet (PDF)
ru7h2k.pdf

RU7H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO251Applications High efficiency switch mode power suppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
Otros transistores... RU75260Q , RU75400Q , RU7550R , RU7550S , RU7570L , RU7580R , RU7582S , RU7590R , IRFZ24N , RU80100R , RU80100S , RU80190R , RU8080R , RU8080S , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R .
History: TPCA8068-H | AFP8452 | HGP115N15S | WSD3056DN | SM3331PSQG | RU80N15Q | PJW1NA50
History: TPCA8068-H | AFP8452 | HGP115N15S | WSD3056DN | SM3331PSQG | RU80N15Q | PJW1NA50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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