RU7H2K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7H2K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de RU7H2K MOSFET
RU7H2K Datasheet (PDF)
ru7h2k.pdf

RU7H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO251Applications High efficiency switch mode power suppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
Otros transistores... RU75260Q , RU75400Q , RU7550R , RU7550S , RU7570L , RU7580R , RU7582S , RU7590R , IRFZ24N , RU80100R , RU80100S , RU80190R , RU8080R , RU8080S , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R .
History: PSMN013-100ES | WM05P02G | FDB8442F085 | SVT03100ND | ZXMHC3A01T8 | IRFI840A
History: PSMN013-100ES | WM05P02G | FDB8442F085 | SVT03100ND | ZXMHC3A01T8 | IRFI840A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
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