RU7H2K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU7H2K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: TO-251

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RU7H2K datasheet

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RU7H2K

RU7H2K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO251 Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

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