RU7H2K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU7H2K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 40 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.5 Ohm
Тип корпуса: TO-251
RU7H2K Datasheet (PDF)
..1. Size:262K ruichips
ru7h2k.pdf
ru7h2k.pdf
RU7H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO251Applications High efficiency switch mode power suppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
