RU7H2K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU7H2K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для RU7H2K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7H2K даташит

 ..1. Size:262K  ruichips
 ru7h2k.pdf pdf_icon

RU7H2K

RU7H2K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO251 Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

Другие IGBT... RU75260Q, RU75400Q, RU7550R, RU7550S, RU7570L, RU7580R, RU7582S, RU7590R, TK10A60D, RU80100R, RU80100S, RU80190R, RU8080R, RU8080S, RU8099R, RU80N15Q, RU80N15R