Справочник MOSFET. RU7H2K

 

RU7H2K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU7H2K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для RU7H2K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7H2K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  ruichips
ru7h2k.pdfpdf_icon

RU7H2K

RU7H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 700V/2A, RDS (ON) =5000m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO251Applications High efficiency switch mode power suppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit

Другие MOSFET... RU75260Q , RU75400Q , RU7550R , RU7550S , RU7570L , RU7580R , RU7582S , RU7590R , IRFZ24N , RU80100R , RU80100S , RU80190R , RU8080R , RU8080S , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R .

History: RU75210R | SP8255

 

 
Back to Top

 


 
.