RU8080S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU8080S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de RU8080S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU8080S datasheet

 ..1. Size:294K  ruichips
 ru8080s.pdf pdf_icon

RU8080S

RU8080S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 80V/80A, RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru8080r.pdf pdf_icon

RU8080S

RU8080R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 80V/80A, RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common

Otros transistores... RU7580R, RU7582S, RU7590R, RU7H2K, RU80100R, RU80100S, RU80190R, RU8080R, IRF1407, RU8099R, RU80N15Q, RU80N15R, RU80N15S, RU80T4H, RU8205C6, RU8205G, RU8590R