Справочник MOSFET. RU8080S

 

RU8080S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU8080S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU8080S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU8080S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  ruichips
 ru8080s.pdf pdf_icon

RU8080S

RU8080SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru8080r.pdf pdf_icon

RU8080S

RU8080RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon

Другие MOSFET... RU7580R , RU7582S , RU7590R , RU7H2K , RU80100R , RU80100S , RU80190R , RU8080R , P0903BDG , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R , RU80N15S , RU80T4H , RU8205C6 , RU8205G , RU8590R .

 

 
Back to Top

 


 
.