RU8080S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU8080S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU8080S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU8080S даташит

 ..1. Size:294K  ruichips
 ru8080s.pdf pdf_icon

RU8080S

RU8080S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 80V/80A, RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru8080r.pdf pdf_icon

RU8080S

RU8080R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 80V/80A, RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common

Другие IGBT... RU7580R, RU7582S, RU7590R, RU7H2K, RU80100R, RU80100S, RU80190R, RU8080R, IRF1407, RU8099R, RU80N15Q, RU80N15R, RU80N15S, RU80T4H, RU8205C6, RU8205G, RU8590R