RU8099R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU8099R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU8099R datasheet

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RU8099R

RU8099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 90V/90A RDS (ON)=8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Extremely high dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Applications High efficiency switching mode power supply N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

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