RU8099R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU8099R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU8099R MOSFET
RU8099R Datasheet (PDF)
ru8099r.pdf

RU8099RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 90V/90ARDS (ON)=8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Extremely high dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche testedApplicationsHigh efficiency switching modepower supplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
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History: FDMC86262P | CSD18563Q5A | HGW105N15M | KI2306DS | IPW90R500C3 | IXTA220N075T7 | MTP8N50E
History: FDMC86262P | CSD18563Q5A | HGW105N15M | KI2306DS | IPW90R500C3 | IXTA220N075T7 | MTP8N50E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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