RU8099R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU8099R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
- Selección de transistores por parámetros
RU8099R Datasheet (PDF)
ru8099r.pdf

RU8099RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 90V/90ARDS (ON)=8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Extremely high dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche testedApplicationsHigh efficiency switching modepower supplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
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History: SVS65R380DD4TR | AOB418 | WVM13N50 | FDMQ8203 | SL3N06 | 2SJ665
History: SVS65R380DD4TR | AOB418 | WVM13N50 | FDMQ8203 | SL3N06 | 2SJ665



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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