RU8099R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU8099R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU8099R MOSFET
RU8099R Datasheet (PDF)
ru8099r.pdf

RU8099RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 90V/90ARDS (ON)=8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Extremely high dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche testedApplicationsHigh efficiency switching modepower supplyN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit
Otros transistores... RU7582S , RU7590R , RU7H2K , RU80100R , RU80100S , RU80190R , RU8080R , RU8080S , 5N65 , RU80N15Q , RU80N15R , RU80N15S , RU80T4H , RU8205C6 , RU8205G , RU8590R , RUE002N02TL .
History: SM2413PSAN | HGB090N06SL | ELM14614AA | ELM14812AA | 2SK3272-01SJ | HGB088N15S | WFF5N80
History: SM2413PSAN | HGB090N06SL | ELM14614AA | ELM14812AA | 2SK3272-01SJ | HGB088N15S | WFF5N80



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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