RU8099R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU8099R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 205 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU8099R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU8099R даташит

 ..1. Size:298K  ruichips
 ru8099r.pdf pdf_icon

RU8099R

RU8099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 90V/90A RDS (ON)=8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Extremely high dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Applications High efficiency switching mode power supply N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

Другие IGBT... RU7582S, RU7590R, RU7H2K, RU80100R, RU80100S, RU80190R, RU8080R, RU8080S, 2SK3568, RU80N15Q, RU80N15R, RU80N15S, RU80T4H, RU8205C6, RU8205G, RU8590R, RUE002N02TL