RU80T4H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU80T4H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU80T4H datasheet

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RU80T4H

RU80T4H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 80V/4A, D2 RDS (ON) =70m (Typ.)@VGS=10V D2 RDS (ON) =80m (Typ.)@VGS=4.5V D1 RDS (ON) =90m (Typ.)@VGS=2.5V D1 Low On-Resistance Super High Dense Cell Design G2 Reliable and Rugged S2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G1 pin1 S1 SOP-8 Applications D1 D2 DC/DC C

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