Справочник MOSFET. RU80T4H

 

RU80T4H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU80T4H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU80T4H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  ruichips
 ru80t4h.pdf pdf_icon

RU80T4H

RU80T4HN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 80V/4A,D2 RDS (ON) =70m(Typ.)@VGS=10VD2 RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=4.5VD1 RDS (ON) =90m(Typ.)@VGS=2.5VD1 Low On-Resistance Super High Dense Cell DesignG2 Reliable and RuggedS2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1pin1S1SOP-8Applications D1 D2 DC/DC C

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PZ5203EMAA | 2SK3462 | TPCC8A01-H | UPA2816T1S | IRF3707SPBF | SW4N65D | FQA10N80C

 

 
Back to Top

 


 
.