RU80T4H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU80T4H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU80T4H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU80T4H даташит

 ..1. Size:317K  ruichips
 ru80t4h.pdf pdf_icon

RU80T4H

RU80T4H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 80V/4A, D2 RDS (ON) =70m (Typ.)@VGS=10V D2 RDS (ON) =80m (Typ.)@VGS=4.5V D1 RDS (ON) =90m (Typ.)@VGS=2.5V D1 Low On-Resistance Super High Dense Cell Design G2 Reliable and Rugged S2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G1 pin1 S1 SOP-8 Applications D1 D2 DC/DC C

Другие IGBT... RU80100S, RU80190R, RU8080R, RU8080S, RU8099R, RU80N15Q, RU80N15R, RU80N15S, SI2302, RU8205C6, RU8205G, RU8590R, RUE002N02TL, RUE003N02TL, RUF015N02TL, RUF025N02TL, RUL035N02TR