Справочник MOSFET. RU80T4H

 

RU80T4H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU80T4H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU80T4H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU80T4H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  ruichips
 ru80t4h.pdf pdf_icon

RU80T4H

RU80T4HN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 80V/4A,D2 RDS (ON) =70m(Typ.)@VGS=10VD2 RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=4.5VD1 RDS (ON) =90m(Typ.)@VGS=2.5VD1 Low On-Resistance Super High Dense Cell DesignG2 Reliable and RuggedS2 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1pin1S1SOP-8Applications D1 D2 DC/DC C

Другие MOSFET... RU80100S , RU80190R , RU8080R , RU8080S , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R , RU80N15S , IRFZ46N , RU8205C6 , RU8205G , RU8590R , RUE002N02TL , RUE003N02TL , RUF015N02TL , RUF025N02TL , RUL035N02TR .

History: PZ5203EMAA | IPP60R022S7 | MCD3410 | SI3812DV | HB3510P | AM7341P | WMJ90N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.