RU8205C6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU8205C6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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RU8205C6 datasheet

 ..1. Size:252K  ruichips
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RU8205C6

RU8205C6 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOT-23-6 Applications Power Management Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

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RU8205C6

RU8205BC6 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/6A, G2 RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=2.5V D1/D2 Low RDS (ON) G1 Super High Dense Cell Design S2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D1/D2 Dual N-Channel MOSFET S1 SOT23-6 D1 D2 Applications Power Management G1 G2

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RU8205C6

RU8205G N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged TSSOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (T

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