RU8205C6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU8205C6
Código: 4*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU8205C6
RU8205C6 Datasheet (PDF)
ru8205c6.pdf
RU8205C6N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOT-23-6Applications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
ru8205bc6.pdf
RU8205BC6N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,G2 RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=2.5V D1/D2 Low RDS (ON)G1 Super High Dense Cell DesignS2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D1/D2Dual N-Channel MOSFET S1SOT23-6D1 D2Applications Power ManagementG1 G2
ru8205g.pdf
RU8205GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (T
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