RU8205C6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU8205C6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
RU8205C6 Datasheet (PDF)
ru8205c6.pdf
RU8205C6N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOT-23-6Applications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
ru8205bc6.pdf
RU8205BC6N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,G2 RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=2.5V D1/D2 Low RDS (ON)G1 Super High Dense Cell DesignS2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D1/D2Dual N-Channel MOSFET S1SOT23-6D1 D2Applications Power ManagementG1 G2
ru8205g.pdf
RU8205GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (T
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
