RUL035N02TR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUL035N02TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RUL035N02TR datasheet

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RUL035N02TR

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XD Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code

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RUL035N02TR

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XD Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code

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