Справочник MOSFET. RUL035N02TR

 

RUL035N02TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUL035N02TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RUL035N02TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUL035N02TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ruichips
 rul035n02tr.pdf pdf_icon

RUL035N02TR

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XD ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code

 5.1. Size:102K  rohm
 rul035n02.pdf pdf_icon

RUL035N02TR

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XD ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code

Другие MOSFET... RU80T4H , RU8205C6 , RU8205G , RU8590R , RUE002N02TL , RUE003N02TL , RUF015N02TL , RUF025N02TL , IRF830 , RUM001L02 , RUM002N02T2L , RUM002N05T2L , RUM003N02T2L , RUQ050N02FRA , RUQ050N02TR , RUR020N02TL , RUR040N02FRA .

History: STP15NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.