RUL035N02TR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RUL035N02TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RUL035N02TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUL035N02TR даташит

 ..1. Size:100K  ruichips
 rul035n02tr.pdf pdf_icon

RUL035N02TR

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XD Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code

 5.1. Size:102K  rohm
 rul035n02.pdf pdf_icon

RUL035N02TR

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XD Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code

Другие IGBT... RU80T4H, RU8205C6, RU8205G, RU8590R, RUE002N02TL, RUE003N02TL, RUF015N02TL, RUF025N02TL, 2N60, RUM001L02, RUM002N02T2L, RUM002N05T2L, RUM003N02T2L, RUQ050N02FRA, RUQ050N02TR, RUR020N02TL, RUR040N02FRA