RUR020N02TL Todos los transistores

 

RUR020N02TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUR020N02TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RUR020N02TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  ruichips
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RUR020N02TL

RUR020N02 Nch 20V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS TSMT3 20V(3) RDS(on) (Max.)105mWID2A(1) PD1W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant1 ESD PROTECTION DIODE 2 BODY DIODE lPackaging spe

 5.1. Size:229K  rohm
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RUR020N02TL

1.5V Drive Nch MOSFET RUR020N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XK (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Pac

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