RUR020N02TL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUR020N02TL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TSMT3

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RUR020N02TL datasheet

 ..1. Size:598K  ruichips
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RUR020N02TL

RUR020N02 Nch 20V 2A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS TSMT3 20V (3) RDS(on) (Max.) 105mW ID 2A (1) PD 1W (2) lFeatures lInner circuit (1) Gate 1) Low on - resistance. (2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 1 ESD PROTECTION DIODE 2 BODY DIODE lPackaging spe

 5.1. Size:229K  rohm
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RUR020N02TL

1.5V Drive Nch MOSFET RUR020N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol XK (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Pac

Otros transistores... RUF025N02TL, RUL035N02TR, RUM001L02, RUM002N02T2L, RUM002N05T2L, RUM003N02T2L, RUQ050N02FRA, RUQ050N02TR, IRF1405, RUR040N02FRA, RUR040N02TL, RUS100N02, PHB101NQ04T, PHB108NQ03LT, PHB110NQ06LT, PHB110NQ08LT, PHB112N06T