Справочник MOSFET. RUR020N02TL

 

RUR020N02TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUR020N02TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RUR020N02TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUR020N02TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  ruichips
 rur020n02tl.pdf pdf_icon

RUR020N02TL

RUR020N02 Nch 20V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS TSMT3 20V(3) RDS(on) (Max.)105mWID2A(1) PD1W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant1 ESD PROTECTION DIODE 2 BODY DIODE lPackaging spe

 5.1. Size:229K  rohm
 rur020n02.pdf pdf_icon

RUR020N02TL

1.5V Drive Nch MOSFET RUR020N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XK (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Pac

Другие MOSFET... RUF025N02TL , RUL035N02TR , RUM001L02 , RUM002N02T2L , RUM002N05T2L , RUM003N02T2L , RUQ050N02FRA , RUQ050N02TR , NCEP15T14 , RUR040N02FRA , RUR040N02TL , RUS100N02 , PHB101NQ04T , PHB108NQ03LT , PHB110NQ06LT , PHB110NQ08LT , PHB112N06T .

History: TK60J25D | TPC8018-H | ST3400S23RG | IRFH5303

 

 
Back to Top

 


 
.