PHB108NQ03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB108NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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PHB108NQ03LT datasheet

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PHB108NQ03LT

PHB/PHD/PHU108NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 18 April 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge 1.3 Applicati

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PHB108NQ03LT

PHP/PHB/PHD108NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 02 11 September 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP108NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB108NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD108NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Logic level compatibl

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PHB108NQ03LT

PHB100N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 07 September 2000 Product specification M3D166 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHB100N03LT in SOT404 (D2-PAK). 2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Avalanche ruggedness rated

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PHB101NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 10 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fea

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