PHB108NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PHB108NQ03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для PHB108NQ03LT
PHB108NQ03LT Datasheet (PDF)
phb108nq03lt phd108nq03lt phu108nq03lt.pdf

PHB/PHD/PHU108NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 18 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge1.3 Applicati
phb108nq03lt phd108nq03lt php108nq03lt.pdf

PHP/PHB/PHD108NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 11 September 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP108NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB108NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD108NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatibl
phb100n03lt-01.pdf

PHB100N03LTN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 07 September 2000 Product specificationM3D1661. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHB100N03LT in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Avalanche ruggedness rated
phb101nq04t.pdf

PHB101NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fea
Другие MOSFET... RUM003N02T2L , RUQ050N02FRA , RUQ050N02TR , RUR020N02TL , RUR040N02FRA , RUR040N02TL , RUS100N02 , PHB101NQ04T , 60N06 , PHB110NQ06LT , PHB110NQ08LT , PHB112N06T , PHB119NQ06T , PHB11N06LT , PHB129NQ04LT , PHB143NQ04T , PHB145NQ06T .
History: AON7702 | PMDPB28UN | RUL035N02TR | OSG60R099JF | BUK7E1R6-30E | STU442S | IXFR36N60P
History: AON7702 | PMDPB28UN | RUL035N02TR | OSG60R099JF | BUK7E1R6-30E | STU442S | IXFR36N60P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40