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PHB129NQ04LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB129NQ04LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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PHB129NQ04LT Datasheet (PDF)

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PHB129NQ04LT

PHP/PHB129NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 11 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

 ..2. Size:94K  philips
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PHB129NQ04LT

PHP/PHB129NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 11 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

 9.1. Size:114K  philips
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PHB129NQ04LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP12NQ15T, PHB12NQ15T PHD12NQ15TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 150 V Fast switching Low thermal resistance ID = 12.5 AgRDS(ON) 200 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in

 9.2. Size:56K  philips
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PHB129NQ04LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB125N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting Using trench technology ID Drain current (DC)1 75 Athe device fe

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History: APTC80H29SCTG | AM1421P

 

 
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