Справочник MOSFET. PHB129NQ04LT

 

PHB129NQ04LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB129NQ04LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для PHB129NQ04LT

 

 

PHB129NQ04LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  philips
 php129nq04lt phb129nq04lt.pdf

PHB129NQ04LT PHB129NQ04LT

PHP/PHB129NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 11 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

 ..2. Size:94K  philips
 phb129nq04lt php129nq04lt.pdf

PHB129NQ04LT PHB129NQ04LT

PHP/PHB129NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 11 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

 9.1. Size:114K  philips
 phb12nq15t phd12nq15t php12nq15t 1.pdf

PHB129NQ04LT PHB129NQ04LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP12NQ15T, PHB12NQ15T PHD12NQ15TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 150 V Fast switching Low thermal resistance ID = 12.5 AgRDS(ON) 200 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in

 9.2. Size:56K  philips
 phb125n06l.pdf

PHB129NQ04LT PHB129NQ04LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB125N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting Using trench technology ID Drain current (DC)1 75 Athe device fe

 9.3. Size:55K  philips
 phb125n06t 1.pdf

PHB129NQ04LT PHB129NQ04LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB125N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC)1 75 Atrench technology the dev

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top