PHB160NQ08T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB160NQ08T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 845 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
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PHB160NQ08T Datasheet (PDF)
php160nq08t phb160nq08t.pdf

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History: HGP068N15S | ELM17408GA
History: HGP068N15S | ELM17408GA



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