PHB160NQ08T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB160NQ08T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 845 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB160NQ08T

PHB160NQ08T Datasheet (PDF)

..1. Size:89K philips
php160nq08t phb160nq08t.pdf

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..2. Size:172K philips
phb160nq08t.pdf

PHB160NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fea

7.1. Size:271K philips
phb160n03t-01.pdf

PHB160N03TN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 13 September 2000 Product specificationM3D1661. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHB160N03T in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Very low on-state resistance.3. Applications DC to

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Liste

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