Справочник MOSFET. PHB160NQ08T

 

PHB160NQ08T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB160NQ08T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 845 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для PHB160NQ08T

 

 

PHB160NQ08T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 php160nq08t phb160nq08t.pdf

PHB160NQ08T PHB160NQ08T

PHP/PHB160NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 28 January 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptable power supplies

 ..2. Size:172K  philips
 phb160nq08t.pdf

PHB160NQ08T PHB160NQ08T

PHB160NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fea

 7.1. Size:271K  philips
 phb160n03t-01.pdf

PHB160NQ08T PHB160NQ08T

PHB160N03TN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 13 September 2000 Product specificationM3D1661. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHB160N03T in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Very low on-state resistance.3. Applications DC to

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top