PHB225NQ04T Todos los transistores

 

PHB225NQ04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB225NQ04T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 82 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1390 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0031 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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PHB225NQ04T Datasheet (PDF)

1.1. phb225nq04t php225nq04t.pdf Size:91K _philips2

PHB225NQ04T
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PHP/PHB225NQ04T N-channel TrenchMOS™ standard level FET Rev. 01 — 12 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

5.1. phb222nq04lt php222nq04lt.pdf Size:91K _philips2

PHB225NQ04T
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PHP/PHB222NQ04LT N-channel TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 13 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

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