PHB225NQ04T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB225NQ04T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB225NQ04T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB225NQ04T даташит

 ..1. Size:91K  philips
 phb225nq04t php225nq04t.pdf pdf_icon

PHB225NQ04T

PHP/PHB225NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 12 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

 9.1. Size:91K  philips
 phb222nq04lt php222nq04lt.pdf pdf_icon

PHB225NQ04T

PHP/PHB222NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 13 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

Другие IGBT... PHB146NQ06LT, PHB152NQ03LTA, PHB153NQ08LT, PHB160NQ08T, PHB174NQ04LT, PHB176NQ04T, PHB193NQ06T, PHB222NQ04LT, IRF840, PHB23NQ10LT, PHB38N02LT, PHB4ND40E, PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT