PHB38N02LT Todos los transistores

 

PHB38N02LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB38N02LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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PHB38N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  philips
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PHB38N02LT

PHB/PHD38N02LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 30 June 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK)PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive.1.3 Applications Linear regula

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History: AFN2318 | SIR172DP | SWT45N65K2 | F11S80C3 | 2SK3058-S | FTK10N65F | IXFR80N50Q3

 

 
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