PHB38N02LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB38N02LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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PHB38N02LT datasheet

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PHB38N02LT

PHB/PHD38N02LT TrenchMOS logic level FET Rev. 01 30 June 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK) PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive. 1.3 Applications Linear regula

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