PHB38N02LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB38N02LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de PHB38N02LT MOSFET
PHB38N02LT Datasheet (PDF)
phb38n02lt.pdf
PHB/PHD38N02LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 30 June 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK)PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive.1.3 Applications Linear regula
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History: RF1K49090 | NX7002BKW
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