Справочник MOSFET. PHB38N02LT

 

PHB38N02LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB38N02LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB38N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  philips
 phb38n02lt.pdf pdf_icon

PHB38N02LT

PHB/PHD38N02LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 30 June 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK)PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive.1.3 Applications Linear regula

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KRF4905S | NTR1P02 | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | IRF3704ZCLPBF

 

 
Back to Top

 


 
.