Справочник MOSFET. PHB38N02LT

 

PHB38N02LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB38N02LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для PHB38N02LT

 

 

PHB38N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  philips
 phb38n02lt.pdf

PHB38N02LT PHB38N02LT

PHB/PHD38N02LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 30 June 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK)PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive.1.3 Applications Linear regula

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top