Справочник MOSFET. PHB38N02LT

 

PHB38N02LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB38N02LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB38N02LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB38N02LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  philips
 phb38n02lt.pdf pdf_icon

PHB38N02LT

PHB/PHD38N02LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 30 June 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOStechnology.Product availability:PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK)PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive.1.3 Applications Linear regula

Другие MOSFET... PHB153NQ08LT , PHB160NQ08T , PHB174NQ04LT , PHB176NQ04T , PHB193NQ06T , PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , IRF540 , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT .

History: FIR4N70FG | APT904RAN | SSM2314GN | RSD201N10 | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.