PHB38N02LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB38N02LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB38N02LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB38N02LT даташит

 ..1. Size:234K  philips
 phb38n02lt.pdf pdf_icon

PHB38N02LT

PHB/PHD38N02LT TrenchMOS logic level FET Rev. 01 30 June 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK) PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Low on-state resistance 2.5 V gate drive. 1.3 Applications Linear regula

Другие IGBT... PHB153NQ08LT, PHB160NQ08T, PHB174NQ04LT, PHB176NQ04T, PHB193NQ06T, PHB222NQ04LT, PHB225NQ04T, PHB23NQ10LT, IRF540N, PHB4ND40E, PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT