PHB73N06T Todos los transistores

 

 

PHB73N06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB73N06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 421 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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PHB73N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  philips
 phb73n06t php73n06t.pdf pdf_icon

PHB73N06T

PHP73N06T; PHB73N06TTrenchMOS standard level FETRev. 02 5 July 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP73N06T in SOT78 (TO-220AB)PHB73N06T in SOT404 (D2-PAK).2. Features Fast switching Very low on-state resistance.3. Applications General purp

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History: IRHLNA77064 | PHB23NQ10LT | IRHLNM77110 | HSP3018B | PHB4ND40E | RF1K49092

 

 
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