PHB73N06T Todos los transistores

 

PHB73N06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB73N06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 421 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHB73N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  philips
phb73n06t php73n06t.pdf pdf_icon

PHB73N06T

PHP73N06T; PHB73N06TTrenchMOS standard level FETRev. 02 5 July 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP73N06T in SOT78 (TO-220AB)PHB73N06T in SOT404 (D2-PAK).2. Features Fast switching Very low on-state resistance.3. Applications General purp

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK1988 | AK5N65S | SSW65R065SFD3 | 1N65L-T60-K | NTB30N06L | IRHMK57260SE | AP2762R-A-HF

 

 
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