PHB73N06T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB73N06T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 421 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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PHB73N06T datasheet

 ..1. Size:260K  philips
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PHB73N06T

PHP73N06T; PHB73N06T TrenchMOS standard level FET Rev. 02 5 July 2002 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP73N06T in SOT78 (TO-220AB) PHB73N06T in SOT404 (D2-PAK). 2. Features Fast switching Very low on-state resistance. 3. Applications General purp

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