Справочник MOSFET. PHB73N06T

 

PHB73N06T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB73N06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 421 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB73N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  philips
 phb73n06t php73n06t.pdf pdf_icon

PHB73N06T

PHP73N06T; PHB73N06TTrenchMOS standard level FETRev. 02 5 July 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP73N06T in SOT78 (TO-220AB)PHB73N06T in SOT404 (D2-PAK).2. Features Fast switching Very low on-state resistance.3. Applications General purp

Другие MOSFET... PHB174NQ04LT , PHB176NQ04T , PHB193NQ06T , PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , 50N06 , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T .

 

 
Back to Top

 


 
.