PHB73N06T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB73N06T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 421 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB73N06T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB73N06T даташит

 ..1. Size:260K  philips
 phb73n06t php73n06t.pdf pdf_icon

PHB73N06T

PHP73N06T; PHB73N06T TrenchMOS standard level FET Rev. 02 5 July 2002 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP73N06T in SOT78 (TO-220AB) PHB73N06T in SOT404 (D2-PAK). 2. Features Fast switching Very low on-state resistance. 3. Applications General purp

Другие IGBT... PHB174NQ04LT, PHB176NQ04T, PHB193NQ06T, PHB222NQ04LT, PHB225NQ04T, PHB23NQ10LT, PHB38N02LT, PHB4ND40E, 50N06, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, PHD16N03T, PHD18NQ10T