PHB78NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB78NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 46 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 415 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0135 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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PHB78NQ03LT Datasheet (PDF)

1.1. phb78nq03lt.pdf Size:85K _philips2

PHB78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 — 13 June 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching 1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters 1.4 Quick reference da

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