PHB78NQ03LT Todos los transistores

 

PHB78NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB78NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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PHB78NQ03LT Datasheet (PDF)

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PHB78NQ03LT

PHB78NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 13 June 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters1.4 Quick reference da

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History: HSP150N15 | RF1K49092 | PHB23NQ10LT | HSP15810C | IRHLNA77064 | IRHLNM77110 | PHB73N06T

 

 
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