PHB78NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB78NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de PHB78NQ03LT MOSFET
PHB78NQ03LT Datasheet (PDF)
phb78nq03lt.pdf

PHB78NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 13 June 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters1.4 Quick reference da
Otros transistores... PHB176NQ04T , PHB193NQ06T , PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , IRF640 , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT .
History: STF26NM60N-H | AO4447A | 7N60F | SVS7N70FD2 | STD70N02L | AP40T10GH-HF | SWMN15N50D
History: STF26NM60N-H | AO4447A | 7N60F | SVS7N70FD2 | STD70N02L | AP40T10GH-HF | SWMN15N50D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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