Справочник MOSFET. PHB78NQ03LT

 

PHB78NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB78NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB78NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB78NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  philips
 phb78nq03lt.pdf pdf_icon

PHB78NQ03LT

PHB78NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 13 June 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters1.4 Quick reference da

Другие MOSFET... PHB176NQ04T , PHB193NQ06T , PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , IRF640 , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT .

History: STD70N02L | TPCS8303

 

 
Back to Top

 


 
.