PHB78NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB78NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB78NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB78NQ03LT даташит

 ..1. Size:85K  philips
 phb78nq03lt.pdf pdf_icon

PHB78NQ03LT

PHB78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 13 June 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching 1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters 1.4 Quick reference da

Другие IGBT... PHB176NQ04T, PHB193NQ06T, PHB222NQ04LT, PHB225NQ04T, PHB23NQ10LT, PHB38N02LT, PHB4ND40E, PHB73N06T, IRFP460, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, PHD16N03T, PHD18NQ10T, PHD21N06LT