PHB96NQ03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB96NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00495 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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PHB96NQ03LT datasheet

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PHB96NQ03LT

PHP/PHB/PHD96NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 05 5 June 2002 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB96NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 2. Features Low gate charge Low on-state resistance. 3. Appli

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