PHB96NQ03LT Todos los transistores

 

PHB96NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB96NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00495 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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PHB96NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  philips
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PHB96NQ03LT

PHP/PHB/PHD96NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 05 5 June 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB96NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK).2. Features Low gate charge Low on-state resistance.3. Appli

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History: SUB60N06-18 | APT37M100B2 | BLL1214-250 | ISZ019N03L5S | PHB112N06T | CS4N70FA9D | APT4016SVFRG

 

 
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