PHB96NQ03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHB96NQ03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00495 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для PHB96NQ03LT
PHB96NQ03LT Datasheet (PDF)
phb96nq03lt php96nq03lt.pdf
PHP/PHB/PHD96NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 05 5 June 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB96NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK).2. Features Low gate charge Low on-state resistance.3. Appli
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918