Справочник MOSFET. PHB96NQ03LT

 

PHB96NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB96NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00495 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB96NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB96NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  philips
 phb96nq03lt php96nq03lt.pdf pdf_icon

PHB96NQ03LT

PHP/PHB/PHD96NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 05 5 June 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB96NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK).2. Features Low gate charge Low on-state resistance.3. Appli

Другие MOSFET... PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , IRFP460 , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T .

History: 2N5398 | HM6408 | IXTP32N65X | OSG60R108FZF | UF640L-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.