PHB96NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB96NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00495 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB96NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB96NQ03LT даташит

 ..1. Size:296K  philips
 phb96nq03lt php96nq03lt.pdf pdf_icon

PHB96NQ03LT

PHP/PHB/PHD96NQ03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 05 5 June 2002 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB96NQ03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK). 2. Features Low gate charge Low on-state resistance. 3. Appli

Другие IGBT... PHB222NQ04LT, PHB225NQ04T, PHB23NQ10LT, PHB38N02LT, PHB4ND40E, PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, IRF640, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, PHD16N03T, PHD18NQ10T, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T