PHD14NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD14NQ20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD14NQ20T Datasheet (PDF)

1.1. phd14nq20t php14nq20t.pdf Size:269K _philips2

PHP/PHB/PHD14NQ20T TrenchMOS™ standard level FET Rev. 03 — 11 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB) PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK) PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Low on-state resistance Fast s

Otros transistores... PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .

Liste

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