PHD14NQ20T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD14NQ20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD14NQ20T datasheet

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PHD14NQ20T

PHP/PHB/PHD14NQ20T TrenchMOS standard level FET Rev. 03 11 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB) PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK) PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Low on-state resistance Fast s

Otros transistores... PHB23NQ10LT, PHB38N02LT, PHB4ND40E, PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, IRLZ44N, PHD16N03LT, PHD16N03T, PHD18NQ10T, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT