PHD14NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD14NQ20T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 14 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Tiempo de elevación (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
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PHD14NQ20T Datasheet (PDF)
1.1. phd14nq20t php14nq20t.pdf 
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PHP/PHB/PHD14NQ20T TrenchMOS™ standard level FET Rev. 03 — 11 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB) PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK) PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Low on-state resistance Fast s
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