PHD14NQ20T Todos los transistores

 

PHD14NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD14NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD14NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  philips
 phd14nq20t php14nq20t.pdf pdf_icon

PHD14NQ20T

PHP/PHB/PHD14NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK)PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance Fast s

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History: CEA6861 | IPD60R1K5CE | FTK12N65F | NTMFS4C054N | CHM4435AZGP

 

 
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