PHD14NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD14NQ20T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de PHD14NQ20T MOSFET
PHD14NQ20T Datasheet (PDF)
phd14nq20t php14nq20t.pdf

PHP/PHB/PHD14NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK)PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance Fast s
Otros transistores... PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , IRFP260N , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT .
History: H7P0601DS | 2SJ477-01MR | DMTH10H005SCT | SSF3324 | BUK963R1-40E | AON6810 | HSU4113
History: H7P0601DS | 2SJ477-01MR | DMTH10H005SCT | SSF3324 | BUK963R1-40E | AON6810 | HSU4113



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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