Справочник MOSFET. PHD14NQ20T

 

PHD14NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD14NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD14NQ20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD14NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  philips
 phd14nq20t php14nq20t.pdf pdf_icon

PHD14NQ20T

PHP/PHB/PHD14NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK)PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance Fast s

Другие MOSFET... PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , IRFP260N , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT .

History: AFP8823 | IXTA88N085T | APTC60DDAM45CT1G | RFG50N06 | BUK9614-55A | 2SK2043 | HY3215PS

 

 
Back to Top

 


 
.