PHD14NQ20T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD14NQ20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD14NQ20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD14NQ20T даташит

 ..1. Size:269K  philips
 phd14nq20t php14nq20t.pdf pdf_icon

PHD14NQ20T

PHP/PHB/PHD14NQ20T TrenchMOS standard level FET Rev. 03 11 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB) PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK) PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Low on-state resistance Fast s

Другие IGBT... PHB23NQ10LT, PHB38N02LT, PHB4ND40E, PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, IRLZ44N, PHD16N03LT, PHD16N03T, PHD18NQ10T, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT