PHD14NQ20T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHD14NQ20T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для PHD14NQ20T
PHD14NQ20T Datasheet (PDF)
phd14nq20t php14nq20t.pdf

PHP/PHB/PHD14NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK)PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance Fast s
Другие MOSFET... PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , IRFB4110 , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT .
History: 2SK3634-Z | WTX1012 | UTT25P10L-TQ2-T | SJMN380R70D | HM2803D | AOTS21311C | 2SK2195
History: 2SK3634-Z | WTX1012 | UTT25P10L-TQ2-T | SJMN380R70D | HM2803D | AOTS21311C | 2SK2195



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor