PHD16N03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD16N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD16N03LT datasheet

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PHD16N03LT

PHD16N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 08 March 2004 Product data M3D300 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1.4 Quick reference da

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PHD16N03LT

PHD16N03T TrenchMOS standard level FET Rev. 01 18 August 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHD16N03T in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Fast Switching TrenchMOSTM technology. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switch.

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