PHD16N03LT Todos los transistores

 

PHD16N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD16N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD16N03LT Datasheet (PDF)

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PHD16N03LT

PHD16N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 08 March 2004 Product dataM3D3001. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.4 Quick reference da

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PHD16N03LT

PHD16N03TTrenchMOS standard level FETRev. 01 18 August 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHD16N03T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Fast Switching TrenchMOSTM technology.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switch.

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History: SQ4937EY | AM2361P | LSB60R039GT

 

 
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