Справочник MOSFET. PHD16N03LT

 

PHD16N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHD16N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для PHD16N03LT

 

 

PHD16N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 phd16n03lt.pdf

PHD16N03LT PHD16N03LT

PHD16N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 08 March 2004 Product dataM3D3001. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.4 Quick reference da

 6.1. Size:234K  philips
 phd16n03t.pdf

PHD16N03LT PHD16N03LT

PHD16N03TTrenchMOS standard level FETRev. 01 18 August 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHD16N03T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Fast Switching TrenchMOSTM technology.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switch.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top