PHD18NQ10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD18NQ10T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: DPAK

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PHD18NQ10T datasheet

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 phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t phd18nq10t.pdf pdf_icon

PHD18NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 18 A g RDS(ON) 90 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Otros transistores... PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, PHD16N03T, IRFZ44, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT, PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT