PHD18NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD18NQ10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 36 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 103 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD18NQ10T Datasheet (PDF)

1.1. phd18nq10t.pdf Size:121K _philips2

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology d • Low on-state resistance VDSS = 100 V • Fast switching • Low thermal resistance ID = 18 A g RDS(ON) ≤ 90 mΩ s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

1.2. phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t.pdf Size:121K _philips2

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA � �Trench� technology d � Low on-state resistance VDSS = 100 V � Fast switching � Low thermal resistance ID = 18 A g RDS(ON) ? 90 m? s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope usin

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Liste

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