PHD18NQ10T Todos los transistores

 

PHD18NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD18NQ10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 36 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 103 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD18NQ10T Datasheet (PDF)

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PHD18NQ10T
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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology d • Low on-state resistance VDSS = 100 V • Fast switching • Low thermal resistance ID = 18 A g RDS(ON) ≤ 90 mΩ s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

1.2. phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t.pdf Size:121K _philips2

PHD18NQ10T
PHD18NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 18 A g RDS(ON) ? 90 m? s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope usin

 

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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