PHD18NQ10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD18NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD18NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD18NQ10T даташит

 ..1. Size:121K  philips
 phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t phd18nq10t.pdf pdf_icon

PHD18NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 18 A g RDS(ON) 90 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие IGBT... PHB73N06T, PHB78NQ03LT, PHB95NQ04LT, PHB96NQ03LT, PHD108NQ03LT, PHD14NQ20T, PHD16N03LT, PHD16N03T, IRFP260N, PHD21N06LT, PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT, PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT