Справочник MOSFET. PHD18NQ10T

 

PHD18NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD18NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD18NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD18NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  philips
 phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t phd18nq10t.pdf pdf_icon

PHD18NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 18 AgRDS(ON) 90 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие MOSFET... PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , 10N60 , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT .

History: MMFT60R380PCTH | AP4959GM | JCS6N90FA | AP4455GEH-HF | STP3NK80Z | IPB039N10N3GE8187 | NCEA60ND08S

 

 
Back to Top

 


 
.