PHD22NQ20T Todos los transistores

 

PHD22NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD22NQ20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 145 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD22NQ20T Datasheet (PDF)

1.1. phd22nq20t.pdf Size:89K _philips2

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PHD22NQ20T N-channel TrenchMOS™ standard level FET Rev. 01 — 08 March 2004 Product data M3D300 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1.4 Quick reference dat

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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