PHD22NQ20T Todos los transistores

 

PHD22NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD22NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD22NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
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PHD22NQ20T

PHD22NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 08 March 2004 Product dataM3D3001. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.4 Quick reference dat

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History: NTMFS5C645NLT1G | YJQ3415A | 2SK3326B | SVD640D | DMT3020LFDF | 2SK2191 | IRFY240CM

 

 
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