PHD22NQ20T Todos los transistores

 

PHD22NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD22NQ20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 145 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD22NQ20T Datasheet (PDF)

1.1. phd22nq20t.pdf Size:89K _philips2

PHD22NQ20T
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PHD22NQ20T N-channel TrenchMOS™ standard level FET Rev. 01 — 08 March 2004 Product data M3D300 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1.4 Quick reference dat

Otros transistores... PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .

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