Справочник MOSFET. PHD22NQ20T

 

PHD22NQ20T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHD22NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для PHD22NQ20T

 

 

PHD22NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 phd22nq20t.pdf

PHD22NQ20T PHD22NQ20T

PHD22NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 08 March 2004 Product dataM3D3001. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.4 Quick reference dat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top