Справочник MOSFET. PHD22NQ20T

 

PHD22NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD22NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD22NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 phd22nq20t.pdf pdf_icon

PHD22NQ20T

PHD22NQ20TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 08 March 2004 Product dataM3D3001. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1.4 Quick reference dat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.