PHD22NQ20T - описание и поиск аналогов

 

Аналоги PHD22NQ20T. Основные параметры


   Наименование производителя: PHD22NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD22NQ20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD22NQ20T даташит

 ..1. Size:89K  philips
 phd22nq20t.pdf pdf_icon

PHD22NQ20T

PHD22NQ20T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 08 March 2004 Product data M3D300 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching. 1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching. 1.4 Quick reference dat

Другие MOSFET... PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , IRFB4227 , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.